رشد و مشخصه یابی لایه های نازک cd1-xcoxs

thesis
abstract

لایه های نازک سولفید کامیوم (cds) کاربردهای فراوانی از جمله در سلولهای خورشیدی دارند. در این پایان نامه به لایه نشانی لایه های نازک سولفید کامیوم پرداخته و سعی نمودیم با آلایش عنصر واسطه کبالت خواص فیزیکی آنها را مورد مطالعه قرار دهیم. کار تجربی ما در این پایان نامه شامل سه مرحله است : ابتدا لایه های نازک سولفید کادمیوم به ضخامت حدود 5/1 میکرومتر بر روی زیرلایه شیشه و در دمای محیط به روش تبخیر حرارتی تهیه شد. نتایج حاصل از مطالعه طیف پراش پرتو ایکس آنها نشان داد که نمونه ها دارای ساختار هگزاگونال با قله ارجح در راستای (002) هستند. طیف های عبور و جذب آنها نیز توسط دستگاه طیف سنج (uv – vis) تهیه شد. گاف نواری نمونه ها به کمک داده های جذب در حدود 42/2 الکترون ولت بدست آمد. سپس ثابت های اپتیکی آنها نیز محاسبه شد. در مرحله بعد لایه های نازک cd1-xcoxs (1/0, 05/0, 025/0 , 0= x ) با روش فوق با دو ضخامت حدود 50 نانومتر و 500 نانومتر و با دمای زیرلایه 27 و 100 و 180 درجه سانتی گراد، بر روی زیرلایه شیشه لایه نشانی شدند. طیف پرتو ایکس نمونه ها نشان داد که آلایش کبالت باعث تغییر ساختار نشده ولی موقعیت و شدت قله ارجح با تغییر پارامترهای غلظت، دمای زیرلایه و ضخامت دستخوش تغییر شد. بنابراین به کمک داده های بدست آمده از طیف پراش ، آنالیز ساختاری نمونه ها از جمله محاسبه پارامترهای شبکه و اندازه دانه ها انجام گرفت. با افزایش غلظت کبالت در ترکیب، اندازه دانه ها افزایش و پارامترهای شبکه کاهش یافتند. با افزایش ضخامت و دمای زیرلایه شاهد ظاهر شدن پیک های بیشتری بودیم و تغییر در پارامترهای شبکه و اندازه دانه ها نیز کاملا مشهود بود. در زمینه مطالعه سطح نمونه ها تصاویر میکروسکوپ الکترون روبشی (sem) از نمونه ها تهیه شد. با استفاده از طیف های عبور و جذب نمونه های با غلظت های مختلف کبالت، گاف نواری آنها محاسبه شد. نتایج نشان داد که با افزایش غلظت کبالت گاف نواری کاهش می یابد. برای بررسی خواص مغناطیسی، نمونه ها توسط دستگاه agfm و مغناطواپتیکی از جمله اثر کر و فارادی مورد مطالعه قرار گرفت که دستگاه های موجود قادر به آشکارسازی سیگنال نشدند. بدین منظور در مرحله سوم لایه های جدیدی از این ترکیب را به روش نفوذی تهیه کردیم. ابتدا لایه های نازک سولفید کادمیوم را با ضخامت 194 نانومتر بر روی زیرلایه شیشه به روش تبخیر حرارتی تهیه نموده و سپس روی آنها لایه ای از کبالت به ضخامت 8 نانومتر، 5/13 نانومتر و 19 نانومتر نشاندیم. بعد از آن نمونه ها را در دمای 400 درجه سانتی گراد در خلا گرمادهی کردیم . در نهایت به مطالعه ساختاری، اپتیکی و مغناطیسی آنها پرداختیم. برای این نمونه ها از دستگاه vsm برای اندازه گیری مغناطش در دمای اتاق استفاده نمودیم. رفتار مشاهده شده رفتار آمیخته دیامغناطیسی با آنتی فرو مغناطیسی بود.

First 15 pages

Signup for downloading 15 first pages

Already have an account?login

similar resources

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک cualo2

چکیده در این پایان نامه لایه های نازک اکسید مس آلومینیوم (cualo2) با ضخامت متوسط nm150به روش سل ـ ژل چرخشی و غوطه وری آماده شدند. به منظور بدست آوردن شرایط بهینه سنتز این نمونه ها، اثر پارامتر هایی نظیرنوع زیرلایه، دمای خشک سازی و دمای بازپخت، اتمسفر محیط بازپخت و نسبت مولی آلومینیوم به مس روی خواص ساختاری و اپتیکی نمونه ها بررسی شد. نتایج این مطالعه نشان داد که برای تبلور ساختار بلوری cualo2،...

15 صفحه اول

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک اکسید نیکل

ما در این تحقیق تجربی به مطالعه مورفولوژی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی نمونه-های اکسید نیکل خالص و آلایش یافته با در صدهای مختلف مس بر روی زیرلایه شیشه که به روش اسپری پایرولیزیز رشد داده شده اند، پرداخته ایم. آنگاه برای مشخصه یابی نمونه ها از دستگاه-های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv.vis، فوتولومینسانس (pl) و اثر هال استفاده کرده ایم. پارامت...

15 صفحه اول

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک سلنیدروی (znse)

در این کار ابتدا لایه های نازک سلنیدروی (znse) به روش تجزیه گرمایی افشانه ای روی زیرلایه های شیشه ای رشد داده شدند. سپس اثر پارامترهای مختلف رشد نظیر دمای لایه نشانی، آهنگِ شارش محلول، نسبت وزن مولی سلنیوم دی اکساید به کلریدروی، میزان حجم محلول اسپری، دمای بازپخت و همچنین مدت زمان آن بر روی ساختار بلوری و خواص اپتیکی لایه های تهیه شده بررسی شد. بررسی طیف xrd و همچنین تصاویر sem ثبت شده برای نمو...

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک سولفید روی

در این پایان نامه خواص ساختاری و اپتیکی لایه های نازک سولفید روی رشد داده شده با استفاده از روش سل - ژل چرخشی و غوطه وری بر روی زیرلایه هایی از جنس شیشه و کوارتز مورد بررسی قرار گرفت. طیف های xrd ثبت شده از سطح نمونه ها و نیز تصاویر sem نمونه ها نشان داد که تغییر روش انباشت تأثیری بر بلورینگی لایه ها نداشته است و نمونه های رشد داده شده به روش سل - ژل چرخشی نسبت به نمونه های رشد داده شده به روش ...

15 صفحه اول

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک cdzno

با پیشرفت فناوری در سال¬های اخیر لایه های نازک اکسیدهای نیمرسانای شفاف(tco) بر پایه اکسیدروی (zno) واکسیدکادمیومcdo) ) نظیرآلیاژ سه تایی ‍‍cdzno بطور گسترده برای ساخت قطعات اپتوالکترونیکی مانند سلولهای خورشیدی، بازتاب کننده های گرمایی، ولایه های نازک فتوولتائی مورد توجه قرار گرفته اند. در این کار، ابتدا لایه های نازک cd_x zn_(1-x) o به روش سل-ژل روی زیر لایه های شیشه ای و سیلیکونی انباشت شدند. ...

15 صفحه اول

رشد و مشخصه یابی لایه های نازک اکسید ایندیوم (in2o3)

در این تحقیق تجربی به بررسی مورفولوژی، خواص ساختاری، اپتیکی و الکتریکی نمونه های اکسید ایندیوم خالص که به روش اسپری پایرولیزیز رشد داده شده اند پرداخته ایم. در این مطالعه برای مشخصه یابی نمونه های رشد یافته از دستگاه های میکروسکوپ الکترونی روبشی گسیل میدانی (fesem)، پراش پرتو ایکس (xrd)، طیف سنجی uv-vis-nir، فوتولومینسانس (pl) و مشخصه جریان-ولتاژ (i-v) استفاده کرده ایم. در طی این تحقیق به منظ...

15 صفحه اول

My Resources

Save resource for easier access later

Save to my library Already added to my library

{@ msg_add @}


document type: thesis

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه صنعتی شاهرود

Hosted on Doprax cloud platform doprax.com

copyright © 2015-2023